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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.72 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF8513PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF8513TRPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF8707 | INFINEON |
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30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 |
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| IRF8707GPBF | INFINEON |
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Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Power |
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| IRF8707GTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Power |
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| IRF8707PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF8707PBF-1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IRF8707TR | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| IRF8707TRPBF | INFINEON |
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HEXFET® Power MOSFET |
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| IRF8714 | INFINEON |
获取价格 |
30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 |
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