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IRF7416

更新时间: 2024-02-02 16:31:06
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 118K
描述
Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm)

IRF7416 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOIC
包装说明:SO-8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.08
Is Samacsys:N其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):370 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):10 A
最大漏极电流 (ID):10 A最大漏源导通电阻:0.02 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:MS-012AA
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM):45 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRF7416 数据手册

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IRF7416  
1 0 0  
1 0  
1
1 0 0  
1 0  
1
VGS  
- 15V  
- 10V  
- 7.0V  
- 5.5V  
- 4.5V  
- 4.0V  
- 3.5V  
VGS  
- 15V  
- 10V  
- 7.0V  
- 5.5V  
- 4.5V  
- 4.0V  
- 3.5V  
TOP  
TOP  
BOTT OM - 3.0V  
BOTT OM - 3.0V  
-3.0V  
-3.0V  
20µs P ULSE WIDTH  
20µs P ULSE WIDTH  
T
J
= 150°C  
T
J
= 25°C  
A
A
0. 1  
1
1 0  
0. 1  
1
1 0  
-V  
, Drain-to-Source Voltage (V)  
-V  
, Drain-to-Source Voltage (V)  
D S  
D S  
Fig 2. Typical Output Characteristics  
Fig 1. Typical Output Characteristics  
1 0 0  
1 0  
1
2. 0  
I
= -5.6A  
D
T
= 25°C  
J
1. 5  
1. 0  
0. 5  
0. 0  
T
= 15 0°C  
J
V
= -1 0V  
DS  
20µs P ULS E W IDTH  
V
= -10V  
GS  
A
5. 5 A  
3. 0  
3. 5  
4. 0  
4. 5  
5. 0  
- 6 0  
- 4 0  
- 2 0  
0
2 0  
4 0  
6 0  
8 0  
1 0 0 1 2 0 1 4 0 1 6 0  
TJ , Junction Temperature (°C)  
-VG S , Ga te-to-So urce Voltage (V)  
Fig 3. Typical Transfer Characteristics  
Fig 4. Normalized On-Resistance  
Vs. Temperature  

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