IRF7416

更新时间： 2024-01-12 00:42:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	118K
描述
Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF7416 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SO-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.08
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	370 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	45 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF7416 数据手册

IRF7416

Electrical Characteristics @ T_J= 25°C (unless otherwise specified)

Parameter

Min. Typ. Max. Units

-30 ––– –––

––– -0.024 ––– V/°C Reference to 25°C, I_D= -1mA

Conditions

V_(BR)DSS

Drain-to-Source Breakdown Voltage

V_GS= 0V, I_D= -250µA

∆V_(BR)DSS/∆T_JBreakdown Voltage Temp. Coefficient

––– ––– 0.020

––– ––– 0.035

-1.0 ––– –––

5.6 ––– –––

––– ––– -1.0

––– ––– -25

––– ––– -100

––– ––– 100

V_GS= -10V, I_D= -5.6A

V_GS= -4.5V, I_D= -2.8A

V_DS= V_GS, I_D= -250µA

V_DS= -10V, I_D= -2.8A

V_DS= -24V, V_GS= 0V

V_DS= -24V, V_GS= 0V, T_J= 125°C

V_GS= -20V

R_DS(on)

Static Drain-to-Source On-Resistance

Ω

V_GS(th)

g_fs

Gate Threshold Voltage

Forward Transconductance

I_DSS

I_GSS

Drain-to-Source Leakage Current

µA

Gate-to-Source Forward Leakage

Gate-to-Source Reverse Leakage

Total Gate Charge

V_GS= 20V

Q_g

––– 61

––– 8.0

––– 22

I_D= -5.6A

Q_gs

Q_gd

t_d(on)

t_r

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain ("Miller") Charge

Turn-On Delay Time

Rise Time

V_DS= -24V

V_GS= -10V, See Fig. 6 and 9

V_DD= -15V

––– 18 –––

––– 49 –––

––– 59 –––

––– 60 –––

––– 1700 –––

––– 890 –––

––– 410 –––

I_D= -5.6A

t_d(off)

t_f

Turn-Off Delay Time

Fall Time

R_G= 6.2Ω

R_D= 2.7Ω, See Fig. 10

V_GS= 0V

C_iss

C_oss

C_rss

Input Capacitance

Output Capacitance

V_DS= -25V

Reverse Transfer Capacitance

ƒ = 1.0MHz, See Fig. 5

Source-Drain Ratings and Characteristics

Parameter

Continuous Source Current

(Body Diode)

Min. Typ. Max. Units

Conditions

MOSFET symbol

I_S

––– ––– -3.1

showing the

I_SM

Pulsed Source Current

(Body Diode)

integral reverse

––– ––– -45

p-n junction diode.

V_SD

t_rr

Diode Forward Voltage

Reverse Recovery Time

Reverse RecoveryCharge

––– ––– -1.0

––– 56 85

––– 99 150

T_J= 25°C, I_S= -5.6A, V_GS= 0V

T_J= 25°C, I_F= -5.6A

Q_rr

nC di/dt = 100A/µs

Notes:

Repetitive rating; pulse width limited by

I_SD≤ -5.6A, di/dt ≤ 100A/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS

T_J≤ 150°C

max. junction temperature. ( See fig. 11 )

Starting T_J= 25°C, L = 25mH

Pulse width ≤ 300µs; duty cycle ≤ 2%.

R_G= 25Ω, I_AS= -5.6A. (See Figure 12)

ꢀ Surface mounted on FR-4 board, t ≤ 10sec.

123 4 5 6 7...9

下载PDF

与IRF7416相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRF7416PBF	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRF7416PBF-1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor	获取价格
IRF7416QPBF	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRF7416QTRPBF	INFINEON	Transistor,	获取价格
IRF7416TR	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
IRF7416TRPBF	INFINEON	HEXFETÂ® Power MOSFET	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF7416

IRF7416 技术参数

IRF7416 数据手册

与IRF7416相关器件

与IRF7416相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF7416

IRF7416 技术参数

IRF7416 数据手册

与IRF7416相关器件

与IRF7416相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？