IRF7416

更新时间： 2024-02-17 17:32:09

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm)

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IRF7416 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SO-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.08
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	370 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	45 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF7416 数据手册

IRF7416

R_D

V_DS

V_GS

D.U.T.

-10V

R_G

V_DD

-10V

Pulse Width ≤ 1 µs

Duty Factor ≤ 0.1 %

Charge

Fig 9a. Basic Gate Charge Waveform

Fig 10a. Switching Time Test Circuit

Current Regulator

Same Type as D.U.T.

d(on)

d(off)

50KΩ

.2µF

12V

.3µF

10%

D.U.T.

90%

-3mA

Current Sampling Resistors

Fig 9b. Gate Charge Test Circuit

Fig 10b. Switching Time Waveforms

100

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

SINGLE PULSE

(THERMAL RESPONSE)

Notes:

1. Duty factor D =t / t

2. Peak T =P

x Z

+ T

thJA A

0.1

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

t , Rectangular Pulse Duration (sec)

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient

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