IRF7416

更新时间： 2024-01-14 13:29:28

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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9页	118K
描述
Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm)

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IRF7416 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SO-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.08
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	370 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	45 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF7416 数据手册

IRF7416

4 0 0 0

2 0

1 6

1 2

= 0V,

f = 1M Hz

= -5.6A

iss

= C

+ C

SHORTE D

d s

rss

oss

= -24V

= -15V

3 0 0 0

2 0 0 0

iss

o s s

1 0 0 0

rss

FOR TEST CIRCUIT

SEE FIGURE 9

1 0

1 0 0

2 0

4 0

6 0

8 0

1 0 0

V_{D S}, Drain-to-Source Voltage (V)

Q _G, Total Gate Charge (nC)

Fig 5. Typical Capacitance Vs.

Fig 6. Typical Gate Charge Vs.

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

1 0 0

100

OPERATION IN THIS AREA LIMITED

BY R

DS(on)

100us

= 150°C

1 0

= 25°C

1ms

10ms

T = 25 C

T = 150 C

Single Pulse

= 0V

0.1

100

0. 4

0. 6

0. 8

1. 0

1. 2

-V

, Drain-to-Source Voltage (V)

-V_{S D}, Source-to-Drain Voltage (V)

Fig 8. Maximum Safe Operating Area

Fig 7. Typical Source-Drain Diode

Forward Voltage

1 2 345 6 7...9

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