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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 0.8 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 23 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 23 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0034 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XBCC-N3 |
| JESD-609代码： | e1 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 89 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 180 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF6613 | INFINEON |
类似代替  |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF6613TR1PBF | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 40V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF6614 | INFINEON |
获取价格 |
DirectFET Power MOSFET |
|
| IRF6614PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 40V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IRF6614TR1PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 40V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IRF6614TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Benchmark MOSFETs Product Selection Guide |
|
| IRF6616 | INFINEON |
获取价格 |
DirectFET Power MOSFET |
|
| IRF6616PBF | INFINEON |
获取价格 |
RoHS compliant containing no lead or bormide |
|
| IRF6616PBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
RoHS compliant containing no lead or bormide |
|
| IRF6616TR1PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 40V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF6616TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Benchmark MOSFETs Product Selection Guide |
|
| IRF6617 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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