是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.18 |
雪崩能效等级(Eas): | 13 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 12 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0091 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-XBCC-N2 |
JESD-609代码: | e4 | 湿度敏感等级: | 3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 96 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Silver/Nickel (Ag/Ni) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF6621TRPbF | INFINEON |
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IRF6621PbF | INFINEON |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF6621PbF | INFINEON |
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DirectFETPower MOSFET |
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IRF6621TR1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IRF6621TR1PBF | INFINEON |
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DirectFETPower MOSFET |
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IRF6621TRPbF | INFINEON |
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DirectFETPower MOSFET |
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IRF6622 | INFINEON |
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Power MOSFET |
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IRF6622PBF | INFINEON |
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IRF6622TRPBF | INFINEON |
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IRF6623 | INFINEON |
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IRF6623PBF | INFINEON |
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DirectFETPower MOSFET |
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IRF6623PBF_15 | INFINEON |
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Ideal for CPU Core DC-DC Converters |
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