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IRF6622

更新时间： 2024-09-30 00:04:31
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英飞凌 - INFINEON /
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10页 240K
描述
Power MOSFET

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IRF6622 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.17
雪崩能效等级（Eas）：13 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.0063 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XBCC-N3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF6622 数据手册

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PD - 97199  
IRF6622  
DirectFET™ Power MOSFET ‚  
Typical values (unless otherwise specified)  
l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide   
l Low Profile (<0.6 mm)  
VDSS  
25V max ±20V max  
VGS  
RDS(on)  
RDS(on)  
4.9mΩ@ 10V 6.8mΩ@ 4.5V  
l Dual Sided Cooling Compatible   
Qg tot Qgd  
Qgs2  
Qrr  
Qoss Vgs(th)  
l Ultra Low Package Inductance  
11nC  
3.8nC 1.6nC 7.1nC 7.7nC  
1.8V  
l Optimized for High Frequency Switching   
l Ideal for CPU Core DC-DC Converters  
l Optimized for Control FET Socket   
l Low Conduction and Switching Losses  
l Compatible with existing Surface Mount Techniques   
DirectFET™ ISOMETRIC  
SQ  
Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline (see p.7,8 for details)  
SQ  
SX  
ST  
MQ  
MX  
MT  
MP  
Description  
The IRF6622 combines the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology with the advanced DirectFET packaging to achieve the  
lowest combined on-state resistance and gate charge in a package that has a footprint similar to that of a Micro-8, and only 0.6mm profile.  
The IRF6622 balances both low resistance and low charge along with ultra low package inductance to reduce both conduction and switching  
losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of processors  
operating at higher frequencies. The IRF6622 has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck including Rds(on) and  
gate charge.  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
25  
Parameter  
Units  
V
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
±20  
15  
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
D
12  
@ TA = 70°C  
@ TC = 25°C  
A
59  
120  
13  
DM  
EAS  
IAR  
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
12  
20  
15  
10  
5
6.0  
5.0  
4.0  
3.0  
2.0  
1.0  
0.0  
I = 12A  
V
V
V
= 20V  
= 13V  
= 5.0V  
D
I
= 15A  
DS  
DS  
DS  
D
T
= 125°C  
J
T
= 25°C  
6
J
0
3
4
5
7
8
9
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
Q
Total Gate Charge (nC)  
G
V
Gate -to -Source Voltage (V)  
GS,  
Fig 1. Typical On-Resistance Vs. Gate Voltage  
Fig 2. Typical Total Gate Charge vs Gate-to-Source Voltage  
Notes:  
„ TC measured with thermocouple mounted to top (Drain) of part.  
ꢀ Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.  
† Starting TJ = 25°C, L = 0.18mH, RG = 25Ω, IAS = 12A.  
 Click on this section to link to the appropriate technical paper.  
‚ Click on this section to link to the DirectFET Website.  
ƒ Surface mounted on 1 in. square Cu board, steady state.  
www.irf.com  
1
04/04/06  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Ideal for CPU Core DC-DC Converters
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获取价格

 		RoHS compliant containing no lead or bromide

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