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IRF6623TR1PBF

更新时间： 2024-02-01 08:27:25
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 216K
描述
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3

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IRF6623TR1PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.15
雪崩能效等级（Eas）：43 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：55 A最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.0057 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XBCC-N3JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：42 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Silver/Nickel (Ag/Ni)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF6623TR1PBF 数据手册

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PD - 95824C  
IRF6623  
HEXFET® Power MOSFET  
l Application Specific MOSFETs  
l Ideal for CPU Core DC-DC Converters  
l Low Conduction Losses  
VDSS  
20V  
RDS(on) max  
Qg(typ.)  
5.7mΩ@VGS = 10V  
9.7mΩ@VGS = 4.5V  
11nC  
l Low Switching Losses  
l Low Profile (<0.7 mm)  
l Dual Sided Cooling Compatible  
l Compatible with Existing Surface Mount Techniques  
DirectFET™ ISOMETRIC  
ST  
Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline (see p.8,9 for details)  
SQ  
SX  
ST  
MQ  
MX  
MT  
Description  
The IRF6623 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to  
achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The  
DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and  
vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufac-  
turing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power  
systems, improving previous best thermal resistance by 80%.  
The IRF6623 balances both low resistance and low charge along with ultra low package inductance to reduce both conduction  
and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the  
latest generation of processors operating at higher frequencies. The IRF6623 has been optimized for parameters that are  
critical in synchronous buck operating from 12 volt bus converters including Rds(on) and gate charge to minimize losses in the  
control FET socket.  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Units  
VDS  
20  
Drain-to-Source Voltage  
V
±20  
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
55  
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
D
D
D
16  
@ TA = 25°C  
@ TA = 70°C  
A
13  
120  
DM  
42  
P
P
P
@TC = 25°C  
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
Power Dissipation  
D
D
D
1.4  
2.1  
Power Dissipation  
W
Power Dissipation  
EAS  
IAR  
43  
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
40  
0.017  
-40 to + 150  
Linear Derating Factor  
W/°C  
°C  
T
T
Operating Junction and  
J
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
12.5  
20  
Max.  
58  
Units  
RθJA  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Case  
RθJA  
–––  
–––  
3.0  
RθJA  
°C/W  
RθJC  
–––  
1.0  
RθJ-PCB  
Junction-to-PCB Mounted  
–––  
Notes  through ˆare on page 2  
www.irf.com  
1
12/21/05  
1234567...9

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IRF6623TR1PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF6623TRPBF INFINEON

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 		RoHs Compliant
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 		RoHS compliant containing no lead or bromide
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