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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF6617TRPBF
IRF6617TRPBF PDF预览

IRF6617TRPBF

更新时间： 2024-09-30 13:01:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 170K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3

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IRF6617TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.81雪崩能效等级（Eas）：27 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.0081 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XBCC-N3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF6617TRPBF 数据手册

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PD - 95847  
IRF6617  
HEXFET® Power MOSFET  
l Application Specific MOSFETs  
l Ideal for CPU Core DC-DC Converters  
l Low Conduction Losses  
VDSS  
30V  
RDS(on) max  
Qg(typ.)  
8.1m  
Ω@VGS = 10V  
11nC  
l Low Switching Losses  
10.3mΩ@VGS = 4.5V  
l Low Profile (<0.7 mm)  
l Dual Sided Cooling Compatible  
l Compatible with Existing Surface Mount Techniques  
DirectFET™ ISOMETRIC  
ST  
Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline (see p.7, 8 for details)  
SQ  
SX  
ST  
MQ  
MX  
MT  
Description  
The IRF6617 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to  
achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The  
DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and  
vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufac-  
turing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power  
systems, IMPROVING previous best thermal resistance by 80%.  
The IRF6617 balances both low resistance and low charge along with ultra low package inductance to reduce both conduction  
and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the  
latest generation of processors operating at higher frequencies. The IRF6617 has been optimized for parameters that are  
critical in synchronous buck converters including Rds(on) and gate charge to minimize losses in the control FET socket.  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Units  
VDS  
30  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
V
±20  
V
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
55  
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
D
D
D
14  
@ TA = 25°C  
@ TA = 70°C  
A
11  
120  
DM  
2.1  
P
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
@TC = 25°C  
Power Dissipation  
D
D
D
1.4  
Power Dissipation  
W
42  
27  
Power Dissipation  
EAS  
IAR  
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
12  
0.017  
Linear Derating Factor  
W/°C  
°C  
-40 to + 150  
T
T
Operating Junction and  
J
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
12.5  
20  
Max.  
58  
Units  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Junction-to-Ambient  
JA  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Case  
–––  
–––  
3.0  
JA  
°C/W  
JA  
–––  
1.0  
JC  
Junction-to-PCB Mounted  
–––  
J-PCB  
Notes  through ˆare on page 2  
www.irf.com  
1
3/12/04  
12345678

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IRF6617TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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