5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRF6620TRPBF
IRF6620TRPBF PDF预览

IRF6620TRPBF

更新时间： 2024-01-23 16:28:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 瞄准线开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 234K
描述
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 20V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF6620TRPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.14
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS雪崩能效等级（Eas）：39 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：150 A
最大漏极电流 (ID)：27 A最大漏源导通电阻：0.0027 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XBCC-N3
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：89 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Silver/Nickel (Ag/Ni)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF6620TRPBF 数据手册

 浏览型号IRF6620TRPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF6620TRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF6620TRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF6620TRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF6620TRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF6620TRPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 97092  
IRF6620PbF  
IRF6620TRPbF  
DirectFET™ Power MOSFET ‚  
l RoHS Compliant   
VDSS  
20V  
RDS(on) max  
2.7mΩ@VGS = 10V  
3.6mΩ@VGS = 4.5V  
Qg(typ.)  
l Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)  
l Application Specific MOSFETs  
l Ideal for CPU Core DC-DC Converters  
l Low Conduction Losses  
28nC  
l High Cdv/dt Immunity  
l Low Profile (<0.7mm)  
l Dual Sided Cooling Compatible   
l Compatible with existing Surface Mount Techniques   
DirectFET™ ISOMETRIC  
MX  
Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline (see p.8,9 for details)  
SQ  
SX  
ST  
MQ  
MX  
MT  
Description  
The IRF6620PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve  
the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible  
with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering  
techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows  
dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, improving previous best thermal resistance by 80%.  
The IRF6620PbF balances both low resistance and low charge along with ultra low package inductance to reduce both conduction and  
switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of  
processors operating at higher frequencies. The IRF6620PbF has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck  
operating from 12 volt bus converters including Rds(on), gate charge and Cdv/dt-induced turn on immunity. The IRF6620PbF offers particu-  
larly low Rds(on) and high Cdv/dt immunity for synchronous FET applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Units  
VDS  
20  
Drain-to-Source Voltage  
V
±20  
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
150  
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
D
D
D
27  
@ TA = 25°C  
@ TA = 70°C  
A
22  
220  
DM  
89  
P
P
P
@TC = 25°C  
@TA = 70°C  
@TA = 25°C  
Power Dissipation  
D
D
D
1.8  
2.8  
Power Dissipation  
W
Power Dissipation  
EAS  
IAR  
39  
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
22  
0.017  
-40 to + 150  
Linear Derating Factor  
W/°C  
°C  
T
T
Operating Junction and  
J
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
12.5  
20  
Max.  
45  
Units  
RθJA  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Case  
RθJA  
–––  
–––  
1.4  
RθJA  
°C/W  
RθJC  
–––  
1.0  
RθJ-PCB  
Junction-to-PCB Mounted  
–––  
Notes  through Šare on page 2  
www.irf.com  
1
5/11/06  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

IRF6620TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF6620 INFINEON

功能相似

 HEXFETPower MOSFET

与IRF6620TRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF6621 INFINEON

获取价格

 		The IRF6621 combines the latest HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced D
IRF6621PbF INFINEON

获取价格

 		DirectFETPower MOSFET 
IRF6621TR1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF6621TR1PBF INFINEON

获取价格

 		DirectFETPower MOSFET 
IRF6621TRPbF INFINEON

获取价格

 		DirectFETPower MOSFET 
IRF6622 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET
IRF6622PBF INFINEON

获取价格

 		DirectFET Power MOSFET
IRF6622TRPBF INFINEON

获取价格

 		DirectFET Power MOSFET
IRF6623 INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF6623PBF INFINEON

获取价格

 		DirectFETPower MOSFET

与IRF6620TRPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证