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IRF6618

更新时间： 2024-02-22 10:36:22
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英飞凌 - INFINEON /
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9页 235K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRF6618 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：ROHS COMPLIANT, MT, ISOMETRIC-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.15
雪崩能效等级（Eas）：210 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：29 A最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.0022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XBCC-N3JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：89 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Silver/Nickel (Ag/Ni)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF6618 数据手册

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PD - 94726D  
IRF6618/IRF6618TR1  
HEXFET® Power MOSFET  
VDSS  
30V  
RDS(on) max  
Qg  
43 nC  
l Application Specific MOSFETs  
l Ideal for CPU Core DC-DC Converters  
l Low Conduction Losses  
2.2m @VGS = 10V  
Ω
3.4mΩ@VGS = 4.5V  
l Low Switching Losses  
l Low Profile (<0.7 mm)  
l Dual Sided Cooling Compatible  
l Compatible with existing Surface Mount  
Techniques  
DirectFET™ISOMETRIC  
MT  
Applicable DirectFET Package/Layout Pad (see p.8,9 for details)  
SQ  
SX  
ST  
MQ  
MX  
MT  
Description  
The IRF6618 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the  
lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible  
with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering  
techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package  
allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, IMPROVING previous best thermal resistance by 80%.  
The IRF6618 balances both low resistance and low charge along with ultra low package inductance to reduce both conduction and  
switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation  
of processors operating at higher frequencies. The IRF6618 has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck  
converters including Rds(on), gate charge and Cdv/dt-induced turn on immunity. The IRF6618 offers particularly low Rds(on) and high Cdv/  
dt immunity for synchronous FET applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
30  
Units  
V
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
V
Gate-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
±20  
170  
30  
GS  
I @ TC = 25°C  
D
I @ TA = 25°C  
A
D
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I @ TA = 70°C  
24  
D
I
240  
2.8  
1.8  
89  
DM  
Power Dissipation  
Power Dissipation  
P @TA = 25°C  
D
P @TA = 70°C  
D
W
P @TC = 25°C  
Power Dissipation  
D
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.022  
-40 to + 150  
W/°C  
°C  
T
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Avalanche Characteristics  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
210  
24  
Units  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS  
IAR  
Avalanche Current  
A
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
12.5  
20  
Max.  
45  
Units  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
JA  
–––  
–––  
1.4  
JA  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Case  
°C/W  
JA  
–––  
1.0  
JC  
Junction-to-PCB Mounted  
–––  
J-PCB  
Notes  through ˆ are on page 9  
www.irf.com  
1
11/3/04  
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IRF6618 替代型号

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