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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.19 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 36 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 19 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.005 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XBCC-N3 | JESD-609代码： | e4 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 150 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Silver/Nickel (Ag/Ni) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF6616TR1PBF | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 40V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF6616 | INFINEON |
类似代替 |
DirectFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF6617 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF6617PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF6617TR1 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF6617TR1PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF6617TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF6618 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF6618PBF | INFINEON |
获取价格 |
DirectFET?Power MOSFET ? |
|
| IRF6618TR1 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF6618TR1PBF | INFINEON |
获取价格 |
Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) |
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| IRF6618TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
DirectFET?Power MOSFET ? |
|
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