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IRF6613

更新时间： 2024-01-13 10:51:25
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 234K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRF6613 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.8
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：23 A
最大漏极电流 (ID)：23 A最大漏源导通电阻：0.0034 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XBCC-N3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：89 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF6613 数据手册

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PD - 95881  
IRF6613  
HEXFET® Power MOSFET  
l Application Specific MOSFETs  
l Ideal for Synchronous Rectification in Isolated  
DC-DC Converters  
VDSS  
40V  
RDS(on) max  
3.4mΩ@VGS = 10V  
4.1mΩ@VGS = 4.5V  
Qg(typ.)  
42nC  
l Low Conduction Losses  
l Low Switching Losses  
l Low Profile (<0.7 mm)  
l Dual Sided Cooling Compatible  
l Compatible with existing Surface Mount Techniques  
DirectFET™ ISOMETRIC  
MT  
Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline (see p.8,9 for details)  
SQ  
SX  
ST  
MQ  
MX  
MT  
Description  
The IRF6613 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the  
lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with  
existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques,  
when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided  
cooling to maximize thermal transfer in power systems, IMPROVING previous best thermal resistance by 80%.  
The IRF6613 balances both low resistance and low charge along with ultra low package inductance to reduce both conduction and switching  
losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of processors  
operating at higher frequencies. The IRF6613 has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck converters including  
Rds(on), gate charge and Cdv/dt-induced turn on immunity. The IRF6613 offers particularly low Rds(on) and high Cdv/dt immunity for synchro-  
nous FET applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Units  
VDS  
40  
Drain-to-Source Voltage  
V
±20  
Gate-to-Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
150  
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
D
D
D
23  
A
@ TA = 25°C  
@ TA = 70°C  
18  
180  
DM  
89  
Power Dissipation  
P
P
P
@TC = 25°C  
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
D
D
D
2.8  
Power Dissipation  
1.8  
Power Dissipation  
W
mJ  
A
EAS  
IAR  
200  
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
18  
0.022  
-40 to + 150  
Linear Derating Factor  
W/°C  
°C  
Operating Junction and  
T
T
J
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
12.5  
20  
Max.  
45  
Units  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Junction-to-Ambient  
JA  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Case  
–––  
–––  
1.4  
JA  
°C/W  
JA  
–––  
1.0  
JC  
Junction-to-PCB Mounted  
–––  
J-PCB  
Notes  through ˆare on page 2  
www.irf.com  
1
8/18/04  
12345678

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IRF6613 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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