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IRF1010EZSTRLP

更新时间： 2024-11-19 01:22:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
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12页 413K
描述
Advanced Process Technology

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IRF1010EZSTRLP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：D2PAK-3/2
Reach Compliance Code：unknownFactory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.55其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：99 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.0085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：340 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF1010EZSTRLP 数据手册

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PD - 95483C  
IRF1010EZPbF  
IRF1010EZSPbF  
IRF1010EZLPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
D
VDSS = 60V  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
RDS(on) = 8.5mΩ  
G
ID = 75A  
Description  
S
ThisHEXFET® PowerMOSFETutilizesthelatest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitive avalanche rating.These features  
combinetomakethisdesignanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
D2Pak  
TO-262  
TO-220AB  
IRF1010EZPbF  
IRF1010EZSPbF IRF1010EZLPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
84  
Units  
A
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
@ TC = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
D
D
D
60  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9)  
75  
(Package Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
340  
140  
DM  
P
@TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
D
0.90  
± 20  
W/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS  
99  
180  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (tested)  
IAR  
See Fig.12a,12b,15,16  
A
EAR  
mJ  
°C  
Repetitive Avalanche Energy  
T
J
-55 to + 175  
Operating Junction and  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.11  
–––  
62  
Units  
°C/W  
Rθ  
JC  
CS  
JA  
JA  
Junction-to-Case  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
07/06/10  
1234567...12

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IRF1010EZSTRLP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF1010EZSPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRF1010EZSTRR INFINEON

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IRF1010N INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=11mohm, Id=85A
IRF1010NL INFINEON

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