5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF1010EZPBF
IRF1010EZPBF PDF预览

IRF1010EZPBF

更新时间： 2024-10-29 21:54:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 285K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF1010EZPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.76Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：99 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：140 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：340 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF1010EZPBF 数据手册

 浏览型号IRF1010EZPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF1010EZPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF1010EZPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF1010EZPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF1010EZPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF1010EZPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 95483  
IRF1010EZPbF  
AUTOMOTIVE MOSFET IRF1010EZSPbF  
IRF1010EZLPbF  
Advanced Process Technology  
Features  
O
O
O
O
O
O
HEXFET® Power MOSFET  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
D
VDSS = 60V  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
RDS(on) = 8.5mΩ  
O
Lead-Free  
G
ID = 75A  
Description  
S
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. Additional fea-  
tures of this design are a 175°C junction operat-  
ing temperature, fast switching speed and im-  
proved repetitive avalanche rating . These fea-  
tures combine to make this design an extremely  
efficient and reliable device for use in Automotive  
applications and a wide variety of other applica-  
tions.  
D2Pak  
IRF1010EZS  
TO-262  
IRF1010EZL  
TO-220AB  
IRF1010EZ  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
84  
Units  
A
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
@ TC = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9)  
D
D
D
60  
75  
(Package Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
340  
140  
DM  
P
@TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
D
0.90  
± 20  
W/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS  
99  
180  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (tested)  
IAR  
See Fig.12a,12b,15,16  
A
EAR  
mJ  
°C  
Repetitive Avalanche Energy  
T
J
-55 to + 175  
Operating Junction and  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.11  
–––  
62  
Units  
Rθ  
°C/W  
JC  
CS  
JA  
JA  
Junction-to-Case  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
06/29/04  
1234567...12

中文翻译

下载PDF

IRF1010EZPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFB3806PBF INFINEON

类似代替

 HEXFETPower MOSFET
IRF1010EZ INFINEON

类似代替

 AUTOMOTIVE MOSFET
STP16NF06L STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.07 ohm - 16A TO-220/TO-220F

与IRF1010EZPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF1010EZPBF_15 INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
IRF1010EZS INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1010EZSPBF INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1010EZSTRLP INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
IRF1010EZSTRLPBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRF1010EZSTRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1010EZSTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1010N INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=11mohm, Id=85A
IRF1010NL INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss = 55 V, Rds(on)=11mohm, Id=
IRF1010NLPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET

与IRF1010EZPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证