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IPP100N08N3GHKSA1 PDF预览

IPP100N08N3GHKSA1

更新时间： 2024-09-15 19:57:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 1021K
描述
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP100N08N3GHKSA1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：90 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.01 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPP100N08N3GHKSA1 数据手册

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IPP100N08N3 G IPI100N08N3 G  
IPB097N08N3 G  
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Product Summary  
Features  
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与IPP100N08N3GHKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP100N08S2-07 INFINEON

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 		OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPP100N08S207AKSA1 INFINEON

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