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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP10N03L | INFINEON |
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OptiMOS Buck converter series |
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| IPP10N03LB | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPP10N03LBG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPP10N03LBG_08 | INFINEON |
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OptiMOS2 Power-Transistor |
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| IPP110N06LG | INFINEON |
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OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPP110N06LGAKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 78A I(D), 60V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP110N20N3 G | INFINEON |
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英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流- |
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| IPP110N20N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| IPP110N20N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP110N20NA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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