是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 1.62 | 雪崩能效等级(Eas): | 560 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (ID): | 88 A | 最大漏源导通电阻: | 0.011 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 352 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPP110N20NAAKSA1 | INFINEON |
完全替代 ![]() |
Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPP110N20NA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IPP110N20NAAKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IPP-1110 | IPP |
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OUTLINE 4 WAY |
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IPP111N15N3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比,150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%,品质因数 (F |
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IPP111N15N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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IPP111N15N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 150V, 0.0111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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IPP114N03L | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 Power-Transistor |
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IPP114N03LG | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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IPP114N03LG_10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
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IPP114N12N3 G | INFINEON |
获取价格 |
120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能,适用于各种应用,支持实 |
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