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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPP11N03LA
IPP11N03LA PDF预览

IPP11N03LA

更新时间： 2024-02-16 20:56:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 308K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPP11N03LA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：80 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.0115 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：52 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：210 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPP11N03LA 数据手册

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IPI11N03LA  
Product Summary  
IPP11N03LA  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Features  
V DS  
25  
11.5  
30  
V
• Ideal for high-frequency dc/dc converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• N-channel  
• Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• 175 °C operating temperature  
• dv /dt rated  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
Type  
Package  
Marking  
11N03LA  
11N03LA  
IPI11N03LA  
IPP11N03LA  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
30  
30  
A
T C=100 °C  
T C=25 °C3)  
I D,pulse  
Pulsed drain current  
210  
80  
E AS  
I D=30 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=30 A, V DS=20 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage4)  
V GS  
±20  
52  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 1.4  
page 1  
2006-05-11  
1234567...10

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与IPP11N03LA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP120N04S3-02 INFINEON

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 		OptiMOS-T Power-Transistor
IPP120N04S302AKSA1 INFINEON

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