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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.8 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 30 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0114 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 38 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 210 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP114N03LG | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPP114N03LG_10 | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPP114N12N3 G | INFINEON |
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120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能，适用于各种应用，支持实 |
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| IPP114N12N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPP114N12N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPP-1171 | IPP |
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OUTLINE 4-WAY |
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| IPP-1176 | IPP |
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OUTLINE 2-WAY |
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| IPP-1177 | IPP |
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OUTLINE 4-WAY |
|
| IPP-1188 | IPP |
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OUTLINE 2-WAY |
|
| IPP11N03LA | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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