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IPP120N04S401AKSA1

更新时间： 2024-01-22 23:53:12

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页数	文件大小	规格书
9页	155K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP120N04S401AKSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

IPP120N04S401AKSA1 数据手册

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IPB120N04S4-01

IPI120N04S4-01, IPP120N04S4-01

OptiMOS^®-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

1.5

120

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

I _D

Features

• N-channel - Enhancement mode

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

• AEC qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

4N0401

IPB120N04S4-01

IPI120N04S4-01

IPP120N04S4-01

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25°C, V_GS=10V

120

T _C=100°C, V_GS=10V²⁾

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

I _AS

T _C=25°C

480

750

120

±20

188

Avalanche energy, single pulse²⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=60A

V_GS

P_tot

T _C=25°C

Power dissipation

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

°C

Rev. 1.0

page 1

2010-04-12

12 3 4 5 6 7...9

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