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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.87 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 25 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 73 A | 最大漏极电流 (ID)： | 73 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0134 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 90 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 292 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP10N03LB | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPP10N03LBG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPP10N03LBG_08 | INFINEON |
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OptiMOS2 Power-Transistor |
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| IPP110N06LG | INFINEON |
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OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPP110N06LGAKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 78A I(D), 60V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP110N20N3 G | INFINEON |
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英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流- |
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| IPP110N20N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| IPP110N20N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP110N20NA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP110N20NAAKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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