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IPP114N12N3 G

更新时间： 2023-09-03 20:37:59

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120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能，适用于各种应用，支持实现卓越性能。120V OptiMOS™ 技术带来全新可能性，帮助实现优化解决方案。

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IPP114N12N3 G 数据手册

IPP114N12N3 G

OptiMOS^TM3 Power-Transistor

Features

Product Summary

V_DS

120

11.4

• N-channel, normal level

R_DS(on)max

I_D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant; halogen free

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

Type

IPP114N12N3 G

Package

Marking

PG-TO220-3

114N12N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

300

E _AS

I _D=75 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

120

Gate source voltage³⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

136

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾see figure 3

=150°C and duty cycle D=0.01 for V_gs<-5V

jmax

Rev. 2.4

page 1

2011-11-25

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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