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IPP114N12N3G PDF预览

IPP114N12N3G

更新时间： 2024-02-15 02:15:50
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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9页 529K
描述
OptiMOS3 Power-Transistor

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IPP114N12N3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.68Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：120 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0114 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：136 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPP114N12N3G 数据手册

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IPP114N12N3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPD70N10S312ATMA1 INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPD70N10S3-12 INFINEON

功能相似

 OptiMOS-T Power-Transistor
IPB70N10S3-12 INFINEON

功能相似

 OptiMOS-T Power-Transistor

与IPP114N12N3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP-1171 IPP

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IPP-1176 IPP

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 		OUTLINE 2-WAY
IPP-1177 IPP

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 		OUTLINE 4-WAY
IPP-1188 IPP

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 		OUTLINE 2-WAY
IPP11N03LA INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP120N04S3-02 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T Power-Transistor
IPP120N04S302AKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP120N04S4-01 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPP120N04S401AKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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