5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1060 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0024 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPP072N10N3GXKSA1 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRFB4310PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
|
| IRFB4310ZPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP120N06S4H1AKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPP120N08S4-03 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPP120N08S403AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPP120N08S4-04 | INFINEON |
获取价格 |
? 仿真/ SPICE-型号 |
|
| IPP120N10S4-03 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IPP120N10S403AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IPP120N10S4-05 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IPP120N10S405AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IPP120N20NFD | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 200V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP120N20NFDAKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 200V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
