5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.24 | 雪崩能效等级（Eas）： | 410 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 70 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 70 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0113 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 280 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPD70N10S312ATMA1 | INFINEON |
完全替代  |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB70N10SL-16 | INFINEON |
类似代替 |
SIPMOS Power-Transistor |
|
| IPD70N10S3-12 | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB70N10S312ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB70N10S3L-12 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPB70N10S3L12ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB70N10SL-16 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor |
|
| IPB70N10SL16ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB70N12S3-11 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IPB70N12S311ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB70N12S3L-12 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IPB70N12S3L12ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB70P04P4-09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
