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IPB80N04S2H4ATMA1 PDF预览

IPB80N04S2H4ATMA1

更新时间： 2024-11-18 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 186K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IPB80N04S2H4ATMA1 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：660 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.0037 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB80N04S2H4ATMA1 数据手册

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IPB80N04S2-H4  
IPP80N04S2-H4, IPI80N04S2-H4  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
40  
3.7  
80  
V
R
DS(on),max (SMD version)  
mΩ  
A
I D  
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Ultra low Rds(on)  
• 100% Avalanche tested  
• Green product (RoHS compliant)  
Type  
Package  
Marking  
2N04H4  
2N04H4  
2N04H4  
IPB80N04S2-H4  
IPP80N04S2-H4  
IPI80N04S2-0H4  
PG-TO263-3-2  
PG-TO220-3-1  
PG-TO262-3-1  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
T C=100 °C,  
80  
80  
A
V
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25 °C  
I D=80A  
320  
660  
±20  
300  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
VGS  
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... +175  
55/175/56  
°C  
Rev. 1.1  
page 1  
2008-02-22  
1234567...9

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IPB80N04S2H4ATMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDB8441_F085 FAIRCHILD

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
STB150NF04 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK STrip

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB80N04S2H4ATMA2 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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