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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.19 | 雪崩能效等级（Eas）： | 947 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 28 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 28 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STB150NF04 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK STrip |
|
| FDB8441 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| SPB80N04S2-04 | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDB8441-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，80A，2.5mΩ |
|
| FDB8442 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDB8442_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 2.9m |
|
| FDB8442_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDB8442-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
40 V、80 A、2.1 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench® |
|
| FDB8443 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40V，182A，3mΩ |
|
| FDB8443 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
|
| FDB8443_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 3.0m |
|
| FDB8443-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，80A，3.0mΩ |
|
| FDB8444 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench? MOSFET 40V, 70A, 5.5mOhm |
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