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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.6 | 雪崩能效等级（Eas）： | 810 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0048 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB80N06S205ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB80N06S2-07 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| IPB80N06S2-08 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| IPB80N06S208ATMA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB80N06S2-09 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| IPB80N06S209ATMA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB80N06S2-H5 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| IPB80N06S2H5ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB80N06S2H5ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB80N06S2L-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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