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IPB80N06S2L11ATMA2

更新时间： 2024-09-28 20:09:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 135K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IPB80N06S2L11ATMA2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：5.71
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：280 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.0147 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB80N06S2L11ATMA2 数据手册

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IPB80N06S2L-11  
IPP80N06S2L-11, IPI80N06S2L-11  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
55  
10.7  
80  
V
• N-channel Logic Level - Enhancement mode  
R DS(on),max (SMD version)  
mW  
A
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
I D  
PG-TO263-3-2  
PG-TO220-3-1  
PG-TO262-3-1  
• Green package (lead free)  
• Ultra low Rds(on)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
IPB80N06S2L-11  
IPP80N06S2L-11  
IPI80N06S2L-11  
PG-TO263-3-2  
PG-TO220-3-1  
PG-TO262-3-1  
SP0002-18177  
SP0002-18175  
SP0002-18176  
2N06L11  
2N06L11  
2N06L11  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C, V GS=10 V  
80  
A
T C=100 °C,  
V GS=10 V2)  
58  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
I D=80A  
320  
280  
Avalanche energy, single pulse2)  
Gate source voltage4)  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
158  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-55 ... +175  
Rev. 1.1  
page 1  
2010-10-26  
12345678

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