Datasheet > IPB80N06S2L07ATMA1

IPB80N06S2L07ATMA1

更新时间： 2024-01-22 01:17:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	151K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPB80N06S2L07ATMA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.62	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	450 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.0097 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPB80N06S2L07ATMA1 数据手册

浏览型号IPB80N06S2L07ATMA1的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IPB80N06S2L07ATMA1的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IPB80N06S2L07ATMA1的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IPB80N06S2L07ATMA1的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IPB80N06S2L07ATMA1的Datasheet PDF文件第6页

IPB80N06S2L-07

IPP80N06S2L-07

OptiMOS^®Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

6.7

• N-channel Logic Level - Enhancement mode

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (lead free)

• Ultra low Rds(on)

I _D

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Ordering Code Marking

IPB80N06S2L-07

IPP80N06S2L-07

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

SP0002-18867

SP0002-18831

2N06L07

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C,

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

Avalanche energy, single pulse²⁾

Gate source voltage⁴⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

I _D= 80 A

320

450

V_GS

±20

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

210

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

Rev. 1.0

page 1

2005-12-27

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IPB80N06S2L07ATMA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPB80N06S2L07ATMA3	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IPB80N06S2L07ATMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB80N06S2L07ATMA3	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB80N06S2L-09	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPB80N06S2L-11	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPB80N06S2L-11_10	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPB80N06S2L11ATMA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB80N06S2L-H5	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPB80N06S2LH5ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB80N06S2LH5ATMA4	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB80N06S2LH5XT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB80N06S3-05	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor

与IPB80N06S2L07ATMA1相关文章

RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

0
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

1
SR3040肖特基整流器资料解读：参数分析、产品特性
2024-07-04

1
LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2024-07-02

4

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPB80N06S2L07ATMA1

IPB80N06S2L07ATMA1 技术参数

IPB80N06S2L07ATMA1 数据手册

IPB80N06S2L07ATMA1 替代型号

与IPB80N06S2L07ATMA1相关器件

与IPB80N06S2L07ATMA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPB80N06S2L07ATMA1

IPB80N06S2L07ATMA1 技术参数

IPB80N06S2L07ATMA1 数据手册

IPB80N06S2L07ATMA1 替代型号

与IPB80N06S2L07ATMA1相关器件

与IPB80N06S2L07ATMA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？