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IPB80N06S2LH5ATMA4

更新时间： 2024-09-28 14:51:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		ATM 异步传输模式 PC 脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	159K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3/2 PIN

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IPB80N06S2LH5ATMA4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.8
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	1832819	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)	Samacsys Package Category：	Other
Samacsys Footprint Name：	IPB80N06S2LH5ATMA4-2	Samacsys Released Date：	2020-03-30 15:27:30
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0062 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

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IPB80N06S2L-H5

IPP80N06S2L-H5

OptiMOS^®Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

4.7

• N-channel Logic Level - Enhancement mode

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (lead free)

• Ultra low Rds(on)

I _D

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Ordering Code Marking

IPB80N06S2L-H5

IPP80N06S2L-H5

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

SP0002-19068

SP0002-19067

2N06LH5

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C,

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

Avalanche energy, single pulse²⁾

Gate source voltage⁴⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

I _D= 80 A

320

700

V_GS

±20

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

300

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

Rev. 1.0

page 1

2005-12-27

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB80N06S2LH5XT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB80N06S3-05	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB80N06S3-07	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor
IPB80N06S3L-05	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB80N06S3L-06	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB80N06S3L-06_07	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB80N06S3L06ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB80N06S3L-08	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢-T Power-Transistor
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