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IPB80N06S205ATMA1 PDF预览

IPB80N06S205ATMA1

更新时间： 2024-01-31 04:23:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 156K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3/2 PIN

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IPB80N06S205ATMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-263, 3/2 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.62
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：810 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.0048 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB80N06S205ATMA1 数据手册

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IPB80N06S2-05  
IPP80N06S2-05  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
55  
4.8  
80  
V
• N-channel - Enhancement mode  
R
DS(on),max (SMD version)  
mΩ  
A
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (lead free)  
• Ultra low Rds(on)  
I D  
PG-TO263-3-2  
PG-TO220-3-1  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
IPB80N06S2-05  
IPP80N06S2-05  
PG-TO263-3-2  
PG-TO220-3-1  
SP0002-18877  
SP0002-18873  
2N0605  
2N0605  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
T C=100 °C,  
80  
80  
A
V
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
Avalanche energy, single pulse2)  
Gate source voltage4)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25 °C  
I D= 80 A  
320  
810  
mJ  
V
VGS  
±20  
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
300  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2006-03-13  
12345678

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IPB80N06S205ATMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB100N06S205ATMA4 INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB80N06S2-07 INFINEON

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