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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.59 |
| 其他特性： | ULTRA LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 526 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0035 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 188 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPB80N04S2-04 | INFINEON |
类似代替  |
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| SPB80N04S2-H4 | INFINEON |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB80N04S303ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB80N04S3-04 | INFINEON |
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| IPB80N04S304ATMA1 | INFINEON |
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| IPB80N04S3-06 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPB80N04S3-H4 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPB80N04S3H4ATMA1 | INFINEON |
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| IPB80N04S4-03 | INFINEON |
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| IPB80N04S403ATMA1 | INFINEON |
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| IPB80N04S403JEATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPB80N04S4-04 | INFINEON |
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