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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 16 weeks |
| 风险等级： | 1.6 | 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.003 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB80N04S403JEATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPB80N04S4-04 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPB80N04S404ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB80N04S4L-04 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPB80N06S2-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| IPB80N06S205ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB80N06S2-07 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| IPB80N06S2-08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| IPB80N06S208ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB80N06S2-09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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