5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.8 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 410 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 120 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 70 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0155 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 280 A |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB70P04P4-09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor |
|
| IPB720P15LM | INFINEON |
获取价格 |
D²PAK 封装型 100 V OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、 |
|
| IPB77N06S2-12 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| IPB77N06S212ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 55V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB77N06S3-09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
|
| IPB77N06S3-09_07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPB77N06S309ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 55V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB79CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB80CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPB80N03S4L-02 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
