Datasheet > IPB70N12S3L-12

IPB70N12S3L-12

更新时间： 2024-11-05 21:09:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
9页	405K
描述
Power Field-Effect Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPB70N12S3L-12 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IPB70N12S3L-12 数据手册

IPB70N12S3L-12

IPI70N12S3L-12, IPP70N12S3L-12

OptiMOS^®-T Power-Transistor

Product Summary

V_DS

120

11.8

R_DS(on),max(SMD version)

I_D

Features

• OptiMOS^TM- power MOSFET for automotive appilcations

• N-channel - Enhancement mode

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

Type

Package

Marking

IPB70N12S3L-12

IPI70N12S3L-12

IPP70N12S3L-12

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

3N12L12

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

Continuous drain current

T _C=100 °C,

V_GS=10 V¹⁾

Pulsed drain current¹⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

280

410

Avalanche energy, single pulse¹⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=35A

I _AS

V_GS

±20

125

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

°C

Rev. 1.0

page 1

2016-06-20

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与IPB70N12S3L-12相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB70N12S3L12ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB70P04P4-09	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPB720P15LM	INFINEON	获取价格	D²PAK 封装型 100 V OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、
IPB77N06S2-12	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPB77N06S212ATMA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 55V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB77N06S3-09	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB77N06S3-09_07	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB77N06S309ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 55V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB79CN10NG	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB80CN10NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor