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IPP120N06NGAKSA1

更新时间： 2024-02-25 21:14:05

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	740K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP120N06NGAKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	280 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPP120N06NGAKSA1 数据手册

IPB120N06N G

IPP120N06N G

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Product Summary

Features

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IPP120N06S4-03	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
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