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IPP120N06S403AKSA1

更新时间： 2024-11-24 15:35:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 171K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP120N06S403AKSA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
雪崩能效等级（Eas）：392 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：120 A最大漏源导通电阻：0.0032 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：480 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPP120N06S403AKSA1 数据手册

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IPB120N06S4-03  
IPI120N06S4-03, IPP120N06S4-03  
OptiMOS®-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
60  
2.8  
120  
V
R
DS(on),max (SMD version)  
mΩ  
A
I D  
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
• AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
4N0603  
4N0603  
4N0603  
IPB120N06S4-03  
IPI120N06S4-03  
IPP120N06S4-03  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25°C, VGS=10V  
120  
120  
A
T C=100°C, VGS=10V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
I AS  
T C=25°C  
480  
392  
120  
±20  
167  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=60A  
mJ  
A
-
VGS  
Ptot  
-
V
T C=25°C  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
°C  
Rev. 1.0  
page 1  
2009-03-23  
1234567...9

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