是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 16 weeks |
风险等级: | 7.84 | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas): | 78 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (ID): | 120 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0052 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 480 A |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPP120P04P4L03AKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IPP-1211 | IPP |
获取价格 |
OUTLINE 4-WAY | |
IPP126N10N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor | |
IPP126N10N3GXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 100V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPP129N10NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V | |
IPP12CN10L G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM | |
IPP12CN10LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-Transistor | |
IPP12CN10N | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPP12CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPP12CN10NGHKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 100V, 0.0129ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |