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IPP139N08N3G

更新时间： 2024-10-01 11:08:51

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
OptiMOS3 Power-Transistor

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IPP139N08N3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	50 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	45 A	最大漏极电流 (ID)：	45 A
最大漏源导通电阻：	0.0139 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	79 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	180 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPP139N08N3G 数据手册

IPP139N08N3 G IPI139N08N3 G

IPB136N08N3 G

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Product Summary

Features

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Type

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Package

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IPP139N08N3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP08CNE8NG	INFINEON	完全替代	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP06CNE8NG	INFINEON	完全替代	OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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