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IPP120N20NFDAKSA1

更新时间： 2024-02-29 04:18:37

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网 PC 脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	1254K
描述
Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 200V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IPP120N20NFDAKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	18 weeks	风险等级：	2.27
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	708811	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)	Samacsys Package Category：	Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：	OutlinePG-TO220-3	Samacsys Released Date：	2019-12-20 11:09:31
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	375 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	84 A
最大漏源导通电阻：	0.012 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	336 A
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MOSFET

MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor

OptiMOS^TM

OptiMOS^TMFDꢀPower-Transistor,ꢀ200ꢀV

IPP120N20NFD

DataꢀSheet

Rev.ꢀ2.0

Final

PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP120P04P4-04	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPP120P04P4L-03	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPP120P04P4L03AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
IPP120P04P4L03AKSA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IPP-1211	IPP	获取价格	OUTLINE 4-WAY
IPP126N10N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor
IPP126N10N3GXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 100V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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