IR2101PBF是一款由International Rectifier(现为ON Semiconductor的一部分)生产的高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。这款驱动器具有独立的高侧和低侧参考输出通道，采用专有的高压集成电路(HVIC)技术和锁存器免疫CMOS技术，实现了坚固的单片结构。

产品特性

浮动通道设计：适用于自举操作，完全可在+600V下工作。

耐负瞬态电压：对负瞬态电压具有耐受性。

门驱动电压范围：从10V到20V。

低电压锁定：具有低电压锁定功能。

逻辑输入兼容：兼容3.3V、5V和15V逻辑输入。

匹配的传播延迟：两个通道的传播延迟匹配。

输出相位：输出与输入同相(IR2101)或反相(IR2102)。

无铅版本可用。

应用场景

IR2101PBF适用于需要高侧和低侧驱动的功率MOSFET或IGBT的开关应用，例如在电机驱动、电源转换器、太阳能逆变器和其他工业应用中。

电气参数

VB：高侧浮动供电电压，绝对最大值为20V。

VS：高侧浮动供电偏移电压，范围为-25V至+600V。

VHO：高侧浮动输出电压，范围为VS - 0.3V至VB + 0.3V。

VCC：低侧和逻辑固定供电电压，范围为10V至20V。

VLO：低侧输出电压，范围为0V至VCC。

VIN：逻辑输入电压，范围为0V至VCC。

绝对最大额定值

VB：高侧浮动供电绝对电压，范围为VS + 10V至VS + 20V。

VS：高侧浮动供电偏移电压，最大值为600V。

VHO：高侧浮动输出电压，不应超过VS或VB。

VCC：低侧和逻辑固定供电电压，范围为10V至20V。

VLO：低侧输出电压，不应超过VCC。

VIN：逻辑输入电压，范围为0V至VCC。

推荐工作条件

数据手册提供了输入/输出逻辑时序图，并指出了设备在推荐条件下的正确操作方式。

静态和动态电气特性

手册详细列出了在特定条件下的电气特性，包括逻辑电平、输出电压、输入偏置电流、供电电流、门驱动电流等。

功能框图

提供了IR2101PBF的功能框图，包括脉冲生成、UV检测、脉冲滤波、高电平移位等模块。

引脚定义和分配

详细列出了IR2101PBF的引脚定义和分配，包括逻辑输入、供电、输出等。

封装信息

IR2101PBF提供8引脚PDIP和8引脚SOIC两种封装形式。

温度和电压特性图

数据手册包含了多个图表，展示了在不同温度和电压下，IR2101PBF的开关时间、上升时间、下降时间、逻辑电平输入电压、输出电压、供电电流等参数的变化。

订购信息

提供了IR2101PBF的订购信息，包括非无铅版本和无铅版本(PbF)的部件编号。

结论

IR2101PBF是一款高性能的功率MOSFET和IGBT驱动器，适用于要求严格的工业和汽车应用。通过详细解读其数据手册，设计工程师可以充分利用其特性，设计出高效可靠的功率转换和电机驱动解决方案。

注意：本文基于提供的数据手册内容进行解读，具体产品规格和应用建议应以制造商的最新资料为准。