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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPP126N10N3G
IPP126N10N3G PDF预览

IPP126N10N3G

更新时间： 2024-11-24 11:08:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 346K
描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor

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IPP126N10N3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：10 weeks 5 days风险等级：5.29
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：70 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：58 A最大漏极电流 (ID)：58 A
最大漏源导通电阻：0.0126 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：94 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：232 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPP126N10N3G 数据手册

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IPP126N10N3 G  
IPB123N10N3 G IPI126N10N3 G  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
100  
12.3  
58  
V
• N-channel, normal level  
R DS(on),max TO-263  
I D  
mΩ  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
IPP126N10N3 G  
IPB123N10N3 G  
IPI126N10N3 G  
Package  
Marking  
PG-TO220-3  
126N10N  
PG-TO263-3  
123N10N  
PG-TO262-3  
126N10N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
58  
42  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
232  
I D=46 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
70  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
94  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) See figure 3  
Rev. 2.3  
page 1  
2010-06-23  
1234567...11

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IPP126N10N3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPI12CN10NG INFINEON

完全替代

 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI126N10N3G INFINEON

功能相似

 OptiMOSTM3 Power-Transistor
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功能相似

 OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP126N10N3GXKSA1 INFINEON

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