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IPP12CN10NG

更新时间： 2024-10-01 03:44:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 627K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPP12CN10NG 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
Is Samacsys：N其他特性：FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：154 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：67 A
最大漏极电流 (ID)：67 A最大漏源导通电阻：0.0129 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：268 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPP12CN10NG 数据手册

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IPB12CN10N G IPD12CN10N G  
IPI12CN10N G IPP12CN10N G  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
V DS  
Features  
100  
12.4  
67  
V
• N-channel, normal level  
R
DS(on),max (TO252)  
mΩ  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
I D  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
IPB12CN10N G  
IPD12CN10N G  
IPI12CN10N G  
IPP12CN10N G  
Type  
PG-TO263-3  
12CN10N  
PG-TO252-3  
12CN10N  
PG-TO262-3  
12CN10N  
PG-TO220-3  
12CN10N  
Package  
Marking  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
67  
48  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
268  
154  
I D=67 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=67 A, V DS=80 V,  
di /dt =100 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage3)  
V GS  
±20  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
125  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) see figure 3  
3)  
T
=150°C and duty cycle D=0.01 for Vgs<-5V  
jmax  
Rev. 1.02  
page 1  
2006-06-02  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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