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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP111N15N3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
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| IPP111N15N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| IPP111N15N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 150V, 0.0111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPP114N03L | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor |
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| IPP114N03LG | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPP114N03LG_10 | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPP114N12N3 G | INFINEON |
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120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能，适用于各种应用，支持实 |
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| IPP114N12N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPP114N12N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPP-1171 | IPP |
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OUTLINE 4-WAY |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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