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IPP110N20NAAKSA1

更新时间： 2024-11-25 14:51:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	636K
描述
Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP110N20NAAKSA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	18 weeks	风险等级：	1.62
雪崩能效等级（Eas）：	560 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	88 A
最大漏源导通电阻：	0.011 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	352 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPP110N20NAAKSA1 数据手册

IPB107N20NA IPP110N20NA

OptiMOS^TM3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

200

10.7

• N-channel, normal level

R_{DS(on),max (TO263)}

I_D

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to AEC Q101

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

Type

IPB107N20NA

IPP110N20NA

Package

Marking

PG-TO263-3

107N20NA

PG-TO220-3

110N20NA

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

Continuous drain current

T _C=100 °C

Pulsed drain current¹⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

352

I _D=80 A, R _GS=25 W

Avalanche energy, single pulse

Reverse diode dv /dt

560

kV/µs

dv /dt

V _GS

Gate source voltage

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

300

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

°C

¹⁾See figure 3

Rev. 2.1

page 1

2011-05-11

12 3 4 5 6 7...10

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IPP110N20NAAKSA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP110N20N3GXKSA1	INFINEON	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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IPP111N15N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPP111N15N3GXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 150V, 0.0111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP114N03L	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPP114N03LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
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