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IPP100N08S2L07AKSA1

更新时间： 2024-11-06 14:51:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	150K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP100N08S2L07AKSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	810 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0068 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPP100N08S2L07AKSA1 数据手册

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IPB100N08S2L-07

IPP100N08S2L-07

OptiMOS^®Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

6.5

100

• N-channel Logic Level - Enhancement mode

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (lead free)

• Ultra low Rds(on)

I _D

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Ordering Code Marking

IPB100N08S2L-07

IPP100N08S2L-07

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

SP0002-19053

SP0002-19052

PN08L07

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C,

100

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

Avalanche energy, single pulse²⁾

Gate source voltage⁴⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

I _D=80A

400

810

V_GS

±20

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

300

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

Rev. 1.0

page 1

2006-03-03

12 3 4 5 6 7 8

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