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IPP100N06S2L05AKSA1

更新时间： 2024-09-15 14:51:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	151K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP100N06S2L05AKSA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	810 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0059 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPP100N06S2L05AKSA1 数据手册

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IPB100N06S2L-05

IPP100N06S2L-05

OptiMOS^®Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

4.4

100

• N-channel Logic Level - Enhancement mode

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (lead free)

• Ultra low Rds(on)

I _D

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Ordering Code Marking

IPB100N06S2L-05

IPP100N06S2L-05

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

SP0002-19003

SP0002-18879

PN06L05

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C,

100

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

Avalanche energy, single pulse²⁾

Gate source voltage⁴⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

I _D= 80 A

400

810

V_GS

±20

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

300

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

Rev. 1.0

page 1

2006-03-13

12 3 4 5 6 7 8

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IPP100N06S2L05AKSA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP100N06S2L05AKSA2	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与IPP100N06S2L05AKSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP100N06S2L05AKSA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP100N06S3-03	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPP100N06S3-04	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor
IPP100N06S3L-03	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPP100N06S3L03AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP100N06S3L-04	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor
IPP100N08N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.
IPP100N08N3GHKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IPP100N08S2-07	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPP100N08S207AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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